FDC604P mosfet 1 Canal p 800 mW SOT-23-6 A822121 - On Semiconductor

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorFDC604P notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 1926 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 5.5 A Puissance (max) P(TOT): 800 mW Q(G) Tension de référence: 4.5 V Q(G): 30 nC R(DS)(on) Courant de référence: 5.5 A R(DS)(on): 33 mΩ Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 10 V Tension de référence R(DS)(on): 4.5 V U(DSS): 20 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 1.5 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor FDC604P Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-6 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 1926 pF · C(ISS) Tension de référence : 10 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 5.5 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 800 mW · Q(G) : 30 C · Q(G) Tension de référence : 4.5 V · R(DS)(on) : 33 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 5.5 A ·