ON Semiconductor FQP4N80 MOSFET 1 Canal N 130 W TO-220-3 A815971

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorFQP4N80 notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 880 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 3.9 A Puissance (max) P(TOT): 130 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 25 nC R(DS)(on) Courant de référence: 1.95 A R(DS)(on): 3.6 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 800 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 5 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor FQP4N80 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 880 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Standard · I(d) : 3.9 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 130 W · Q(G) : 25 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 3.6 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 1.95 A · R(DS)(on) Tension de