Transistor (bjt) - Discrêt 2N5550TA TO-92-3 1 npn Q83073 - On Semiconductor

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

enquête ON Semiconductor 2N5550TA Type de boîtier (semi-conducteur): TO-92-3 Contenu: 1 pc(s) description Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant ON Semiconductor2N5550TA données techniques Collecteur courant résiduel I(CES): 100 nA Contenu: 1 pc(s) Courant du collecteur CI: 600 mA Fréquence de transition f(T): 300 MHz Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 10 mA Puissance (max) P(TOT): 625 mW Puissance courant DC hFE - tension de référence: 5 V Saturation VCE (max.): 250 mV Tension - Collecteur-émetteur max.: 140 V informations supplémentaires Transistor (BJT) - Discrêt Fairchild Semiconductor 2N5550TA Type de boîtier (semi-conducteur): TO-92-3 Conditionnement: 1 pc(s) Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable