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FDV301N mosfet 1 Canal n 350 mW SOT-23-3 A817951 - On Semiconductor


FDV301N mosfet 1 Canal n 350 mW SOT-23-3 A817951 - On Semiconductor

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  • Marque : ON Semiconductor

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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique


Description produit

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorFDV301N notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 9.5 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 220 mA Puissance (max) P(TOT): 350 mW Q(G) Tension de référence: 4.5 V Q(G): 0.7 nC R(DS)(on) Courant de référence: 400 mA R(DS)(on): 4 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 10 V Tension de référence R(DS)(on): 4.5 V U(DSS): 25 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 1.06 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor FDV301N Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 9.5 pF · C(ISS) Tension de référence : 10 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 220 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 350 mW · Q(G) : 0.7 C · Q(G) Tension de référence : 4.5 V · R(DS)(on) : 4 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 400 mA ·

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