Transistor (bjt) - Discrêt BD13910STU TO-126 1 npn A827281 - On Semiconductor

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

enquête ON Semiconductor BD13910STU Type de boîtier (semi-conducteur): TO-126 Contenu: 1 pc(s) description Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorBD13910STU notes spéciales + image primaire données techniques Collecteur courant résiduel I(CES): 100 nA Contenu: 1 pc(s) Courant du collecteur CI: 1.5 A Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 150 mA Puissance (max) P(TOT): 1.25 W Puissance courant DC hFE - tension de référence: 2 V Saturation VCE (max.): 500 mV Tension - Collecteur-émetteur max.: 80 V informations supplémentaires Transistor (BJT) - Discrêt Fairchild Semiconductor BD13910STU Type de boîtier (semi-conducteur): TO-126 Conditionnement: 1 pc(s) Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable