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FQP13N10 mosfet 1 Canal n 65 w TO-220-3 A819691 - On Semiconductor


FQP13N10 mosfet 1 Canal n 65 w TO-220-3 A819691 - On Semiconductor

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  • Marque : ON Semiconductor

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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique


Description produit

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorFQP13N10 notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 450 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 12.8 A Puissance (max) P(TOT): 65 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 16 nC R(DS)(on) Courant de référence: 6.4 A R(DS)(on): 180 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor FQP13N10 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 450 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Standard · I(d) : 12.8 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 65 W · Q(G) : 16 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 180 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 6.4 A · R(DS)(on) Tension de

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