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FDS8858CZ mosfet 1 Canal n, Canal p 900 mW SOIC-8 A820811 - On Semiconductor


FDS8858CZ mosfet 1 Canal n, Canal p 900 mW SOIC-8 A820811 - On Semiconductor

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  • Marque : ON Semiconductor

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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique


Description produit

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorFDS8858CZ notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 1205 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 8.6 + 7.3 A Puissance (max) P(TOT): 900 mW Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 24 nC R(DS)(on) Courant de référence: 8.6 A R(DS)(on): 17 mΩ Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 15 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 30 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 3 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor FDS8858CZ Type de boîtier (semi-conducteur): SOIC-8 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 1205 pF · C(ISS) Tension de référence : 15 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 8.6 A,7.3 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 900 mW · Q(G) : 24 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 17 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence :

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