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FDP80N06 mosfet 1 Canal n 176 w TO-220-3 A826511 - On Semiconductor


FDP80N06 mosfet 1 Canal n 176 w TO-220-3 A826511 - On Semiconductor

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  • Marque : ON Semiconductor

    Vendu par : ManoMano FR

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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique


Description produit

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorFDP80N06 notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 3190 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 80 A Puissance (max) P(TOT): 176 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 74 nC R(DS)(on) Courant de référence: 40 A R(DS)(on): 10 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor FDP80N06 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 3190 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Standard · I(d) : 80 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 176 W · Q(G) : 74 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 10 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 40 A · R(DS)(on) Tension de

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