BSS123 mosfet 1 Canal n 360 mW SOT-23-3 A827421 - On Semiconductor

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorBSS123 notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 73 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 170 mA Puissance (max) P(TOT): 360 mW Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 2.5 nC R(DS)(on) Courant de référence: 170 mA R(DS)(on): 6 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 1 mA U(GS)(th) max.: 2 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor BSS123 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 73 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 170 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 360 mW · Q(G) : 2.5 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 6 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 170 mA · R(DS)(on)