Infineon Technologies - IRFP260NPBF mosfet 1 Canal n 300 w TO-247-3

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : INF C(ISS) : 4057 pF Caractéristique du transistor : Standard I(d) : 50 A Nombre de canaux : 1 Puissance (max) P(TOT) : 300 W Q(G) : 234 nC Q(G) Tension de référence : 10 V R(DS)(on) : 40 mΩ R(DS)(on) Courant de référence : 28 A Série (semiconducteur) : HEXFET® Température de fonctionnement (max.) : +175 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension de rupture U(BR) (DSS) : 200 V Tension de référence C(ISS) : 25 V Tension de référence R(DS)(on) : 10 V Type (transistors) : Canal N Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247-3 Type de montage : trou traversant U(DSS) : 200 V U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA U(GS)(th) max. : 4 V Contenu de la livraison null Configuration requise null