8.95€
Marque : INFINEON TECHNOLOGIES
Vendu par : ManoMano FR
fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRF1010E données techniques C(ISS): 3210 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 84 A Puissance (max) P(TOT): 200 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 130 nC R(DS)(on) Courant de référence: 50 A R(DS)(on): 12 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRF1010E Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 3210 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 84 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 200 W · Q(G) : 130 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 12 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 50 A · R(DS)(on)