Transistor (bjt) - Discrêt BC858C SOT-23-3 1 pnp Tape cut Q32709 - Infineon Technologies

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

enquête Infineon Technologies BC858C Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3 Contenu: 1 pc(s) description Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesBC858C données techniques Collecteur courant résiduel I(CES): -15 nA Contenu: 1 pc(s) Courant du collecteur CI: -100 mA Fréquence de transition f(T): 250 MHz Gain en courant DC hFE - Courant de référence: -2 mA Puissance (max) P(TOT): 330 mW Puissance courant DC hFE - tension de référence: -5 V Saturation VCE (max.): -650 mV Tension - Collecteur-émetteur max.: -30 V informations supplémentaires Transistor (BJT) - Discrêt Infineon Technologies BC858C Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3 Conditionnement: 1 pc(s) Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable