Infineon Technologies - mosfet SPW20N60S5 1 Canal n 208 w TO-247

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : INF C(ISS) : 3000 pF Caractéristique du transistor : Standard I(d) : 20 A Nombre de canaux : 1 Puissance (max) P(TOT) : 208 W Q(G) : 103 nC Q(G) Tension de référence : 10 V R(DS)(on) : 190 mΩ R(DS)(on) Courant de référence : 13 A Série (semiconducteur) : CoolMOS™ Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension de rupture U(BR) (DSS) : 600 V Tension de référence C(ISS) : 25 V Tension de référence R(DS)(on) : 10 V Type (transistors) : Canal N Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247 Type de montage : trou traversant U(DSS) : 600 V U(GS)(th) Courant de référence max. : 1 mA U(GS)(th) max. : 5.5 V MOSFET Le transistor Mosfet est un composant à commande par tension et peut être connecté directement à une source à impédance élevée. Il est adapté pour une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique et est compatible µC, TTL et CMOS. Contenu de la