Transistor (bjt) - Discrêt BC817K-40E6327 SOT-23-3 1 npn Tape cut Q32748 - Infineon Technologies

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Description produit

enquête Infineon Technologies BC817K-40E6327 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3 Contenu: 1 pc(s) description Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesBC817K-40E6327 données techniques Collecteur courant résiduel I(CES): 100 nA Contenu: 1 pc(s) Courant du collecteur CI: 500 mA Fréquence de transition f(T): 170 MHz Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 100 mA Puissance (max) P(TOT): 330 mW Puissance courant DC hFE - tension de référence: 1 V Saturation VCE (max.): 700 mV Tension - Collecteur-émetteur max.: 45 V informations supplémentaires Transistor (BJT) - Discrêt Infineon Technologies BC817K-40E6327 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3 Conditionnement: 1 pc(s) Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation