Infineon Technologies - IRLB4030PBF mosfet 1 Canal n 370 w TO-220AB

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : INF C(ISS) : 11360 pF Caractéristique du transistor : Porte de niveau logique I(d) : 180 A Nombre de canaux : 1 Puissance (max) P(TOT) : 370 W Q(G) : 130 nC Q(G) Tension de référence : 4.5 V R(DS)(on) : 4.3 mΩ R(DS)(on) Courant de référence : 110 A Série (semiconducteur) : HEXFET® Température de fonctionnement (max.) : +175 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension de rupture U(BR) (DSS) : 100 V Tension de référence C(ISS) : 50 V Tension de référence R(DS)(on) : 10 V Type (transistors) : Canal N Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220AB Type de montage : trou traversant U(DSS) : 100 V U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA U(GS)(th) max. : 2.5 V Contenu de la livraison null Configuration requise null