Transistor (bjt) - Discrêt, prépolarisé BCR133 TO-236-3 1 npn - Prépolarisé Tape cut Q32731 - Infineon Technologies

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

enquête Infineon Technologies BCR133 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Contenu: 1 pc(s) description Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesBCR133 données techniques Collecteur courant résiduel I(CES): 100 nA Contenu: 1 pc(s) Courant du collecteur CI: 100 mA Fréquence de transition f(T): 130 MHz Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 5 mA Puissance (max) P(TOT): 200 mW Puissance courant DC hFE - tension de référence: 5 V Résistance (R1): 10 kΩ Résistance (R2): 10 kΩ Saturation VCE (max.): 300 mV Tension - Collecteur-émetteur max.: 50 V informations supplémentaires Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé Infineon Technologies BCR133 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre