Transistor (bjt) - Discrêt BD139-10 SOT-32 1 npn Q39760 - Stmicroelectronics

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

enquête STMicroelectronics BD139-10 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-32 Contenu: 1 pc(s) description Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant STMicroelectronicsBD139-10 notes spéciales Fabricant SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. données techniques Collecteur courant résiduel I(CES): 100 nA Contenu: 1 pc(s) Courant du collecteur CI: 1.5 A Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 150 mA Puissance (max) P(TOT): 1.25 W Puissance courant DC hFE - tension de référence: 2 V Saturation VCE (max.): 500 mV Tension - Collecteur-émetteur max.: 80 V informations supplémentaires Transistor (BJT) - Discrêt STMicroelectronics BD139-10 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-32 Conditionnement: 1 pc(s) Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire,