Transistor (bjt) - Discrêt BD241C TO-220 1 npn Q33195 - Stmicroelectronics

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

enquête STMicroelectronics BD241C Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Contenu: 1 pc(s) description Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant STMicroelectronicsBD241C données techniques Collecteur courant résiduel I(CES): 300 µA Contenu: 1 pc(s) Courant du collecteur CI: 3 A Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 3 A Puissance (max) P(TOT): 40 W Puissance courant DC hFE - tension de référence: 4 V Saturation VCE (max.): 1.2 V Tension - Collecteur-émetteur max.: 100 V informations supplémentaires Transistor (BJT) - Discrêt STMicroelectronics BD241C Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Données techniques : Courant