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IRFD110PBF mosfet 1 Canal n 1.3 w DIP-4 Q85365 - Vishay


IRFD110PBF mosfet 1 Canal n 1.3 w DIP-4 Q85365 - Vishay

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  • Marque : Vishay

    Vendu par : ManoMano FR

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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique


Description produit

fabricant et numéro du fabricant VishayIRFD110PBF données techniques C(ISS): 180 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 1 A Puissance (max) P(TOT): 1.3 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 8.3 nC R(DS)(on) Courant de référence: 600 mA R(DS)(on): 540 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Vishay IRFD110PBF Type de boîtier (semi-conducteur): DIP-4 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 180 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Vishay · Fonction FET : Standard · I(d) : 1 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 1.3 W · Q(G) : 8.3 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 540 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 600 mA · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : VIS · Température de

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