Transistor (bjt) - Discrêt MJE13007G TO-220AB 1 npn Q39576 - On Semiconductor

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

enquête ON Semiconductor MJE13007G Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Contenu: 1 pc(s) description Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorMJE13007 notes spéciales + image primaire données techniques Collecteur courant résiduel I(CES): 100 µA Contenu: 1 pc(s) Courant du collecteur CI: 8 A Fréquence de transition f(T): 14 MHz Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 5 A Puissance (max) P(TOT): 80 W Puissance courant DC hFE - tension de référence: 5 V Saturation VCE (max.): 3 V Tension - Collecteur-émetteur max.: 400 V informations supplémentaires Transistor (BJT) - Discrêt ON Semiconductor MJE13007 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire,