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Infineon Technologies - BSS123NH mosfet 1 Canal n 500 mW TO-236-3 Q35075
22.00€
Marque : INFINEON TECHNOLOGIES
Vendu par : ManoMano FR
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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique
Description produit
description Type à enrichissement du canal N fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesBSS123NH données techniques C(ISS): 20.9 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 190 mA Puissance (max) P(TOT): 500 mW Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 0.9 nC R(DS)(on) Courant de référence: 190 mA R(DS)(on): 6 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 13 µA U(GS)(th) max.: 1.8 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies BSS123NH Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Type à enrichissement du canal N Données techniques : C(ISS) : 20.9 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 190 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 500 mW · Q(G) : 0.9 C · Q(G)
