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BSS83P mosfet 1 Canal p 360 mW TO-236-3 Q32714 - Infineon Technologies


BSS83P mosfet 1 Canal p 360 mW TO-236-3 Q32714 - Infineon Technologies

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  • Marque : INFINEON TECHNOLOGIES

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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique


Description produit

description Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P. fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesBSS83P données techniques C(ISS): 78 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 330 mA Puissance (max) P(TOT): 360 mW Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 3.57 nC R(DS)(on) Courant de référence: 330 mA R(DS)(on): 2 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 80 µA U(GS)(th) max.: 2 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies BSS83P Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P. Données techniques : C(ISS) : 78 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 330 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance

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