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Infineon Technologies - IRF1018EPBF mosfet 1 Canal n 110 w TO-220AB Q87630


Infineon Technologies - IRF1018EPBF mosfet 1 Canal n 110 w TO-220AB Q87630

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  • Marque : INFINEON TECHNOLOGIES

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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique


Description produit

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRF1018EPBF données techniques C(ISS): 2290 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 79 A Puissance (max) P(TOT): 110 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 69 nC R(DS)(on) Courant de référence: 47 A R(DS)(on): 8.4 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 50 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 100 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRF1018EPBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 2290 pF · C(ISS) Tension de référence : 50 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 79 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 110 W · Q(G) : 69 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 8.4 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 47 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du

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