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Infineon Technologies - IRF9Z34N mosfet 1 Canal p 3.8 w TO-220 Q85339


Infineon Technologies - IRF9Z34N mosfet 1 Canal p 3.8 w TO-220 Q85339

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  • Marque : INFINEON TECHNOLOGIES

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Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique


Description produit

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRF9Z34N données techniques C(ISS): 620 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 19 A Puissance (max) P(TOT): 3.8 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 35 nC R(DS)(on) Courant de référence: 10 A R(DS)(on): 100 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 55 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34N Type de boîtier (semi-conducteur): TO-263-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 620 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 19 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 3.8 W · Q(G) : 35 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 100 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 10 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du

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