IXFQ60N50P3 mosfet 1 Canal n 1040 w TO-3P - Ixys

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : IXY C(ISS) : 6250 pF Caractéristique du transistor : Standard I(d) : 60 A Nombre de canaux : 1 Puissance (max) P(TOT) : 1040 W Q(G) : 96 nC Q(G) Tension de référence : 10 V R(DS)(on) : 100 mΩ R(DS)(on) Courant de référence : 30 A Série (semiconducteur) : HiPerFET™, Polar3™ Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension de rupture U(BR) (DSS) : 500 V Tension de référence C(ISS) : 25 V Tension de référence R(DS)(on) : 10 V Type (transistors) : Canal N Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-3P Type de montage : trou traversant U(DSS) : 500 V U(GS)(th) Courant de référence max. : 4 mA U(GS)(th) max. : 5 V Contenu de la livraison null Configuration requise null