Transistor Npn, 400v, 12a, 100w, Capsule To220 Mje13009, Kse13009 Mje13009

Electricité et domotique, Domotique, automatismes et sécurité, Composant électronique

Description produit

Transistors bipolaires - BJT Capsule : TO-220-3 Polarité du transistor : NPN Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 400 V Tension de base du collecteur du VCBO : 700 V Tension d'émetteur-base VEBO : 9 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1 V Intensité maximale du collecteur DC : 12 A Produit fT pour le gain de bande passante : 4 MHz Température de fonctionnement : - 65ºC..150ºC Courant continu du collecteur : 12 A Gain de la base et du collecteur DC hfe Min : 8 Puissance dissipée) : 12 W Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires